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SUM90N06-5m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
120
100
V GS = 10 thr u 7 V
100
8 0
8 0
60
60
40
40
6 V
T C = 125 °C
20
0
20
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
120
96
V DS - D r a i n - t o - S o u r c e V o l t a g e ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.0050
0.004 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transconductance
25 °C
V GS = 10 V
72
4 8
24
0
125 °C
0.0046
0.0044
0.0042
0.0040
0
12
24
36
4 8
60
0
20
40
60
8 0
100
0.05
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
6000
I D - Drain C u rrent (A)
On-resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 20 A
C iss
0.04
0.03
0.02
0.01
150 °C
25 °C
4 8 00
3600
2400
1200
C oss
0.00
0
C rss
4
5
6
7
8
9
10
0
12
24
36
4 8
60
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Drain Current
Document Number: 69537
S-72506-Rev. A, 03-Dec-07
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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